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| 晶体结构缺陷习题与解答 | |||||||||||||||||
| 晶体结构缺陷习题与解答 | |||||||||||||||||
作者:佚名 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2008-6-13 ![]() |
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解:(a)当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b)滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。 4.2试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl中K+或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。 解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX晶体中,间隙原子的表示符号为MI或XI;空位缺陷的表示符号为:VM或VX。如果进入MX晶体的杂质原子是A,则其表示符号可写成:AM或AX(取代式)以及Ai(间隙式)。 当CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷,其缺陷反应式如下: CaCl2 CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为: CaCl2 4.3在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么? 解:位置平衡是指在化合物MaXb中,M格点数与X格点数保持正确的比例关系,即M:X=a:b。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。 4.4(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 (b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。 解:(a)根据热缺陷浓度公式: 由题意 △G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19J K=1.38×10-23 J/K T1=25+273=298K T2=1600+273=1873K 298K: 1873K: (b)在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质,缺陷反应方程为: 此时产生的缺陷为[
当T1=1000K时, 当T2=1500K时,
生成置换式的空位点缺陷。其缺陷浓度为:0.5%×
按质量作用定律,平衡常数 [V 即:铁空位的浓度和氧分压的1/6次方成正比,故当周围分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-xO的密度也将减小。 (b)非化学计量化合物Zn1+xO,由于正离子填隙,使金属离子过剩: ZnO
K=[ 得 [ 即:间隙离子的浓度与氧分压的1/6次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+xO的密度也将减小。 解: 非化学计量化合物FexO,可认为是α(mol)的Fe2O3溶入FeO中,缺陷反应式为: Fe2O3 α 2α α 此非化学计量化合物的组成为: Fe 已知:Fe3+/Fe2+=0.1 则: ∴ α = 0.044 ∴x=2α+(1-3α)=1-α=0.956 又:∵[V 正常格点数N=1+x=1+0.956=1.956 ∴空位浓度为 4.9 非化学计量氧化物TiO2-x的制备强烈依赖于氧分压和温度:(a)试列出其缺陷反应式。(b)求其缺陷浓度表达式。 解:非化学计量氧化物TiO2-x,其晶格缺陷属于负离子缺位而使金属离子过剩的类型。 (a)缺陷反应式为:
(b)缺陷浓度表达式: [ V
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